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MMBT589LT1中文资料

MMBT589LT1图片

MMBT589LT1外观图

  • 大小:66.44KB
  • 厂家:MOTOROLA [Motorola, Inc]
  • 描述:High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
  • 最大直流电集电极电流:1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 at 1 mA at 2 V
  • 配置:Single
  • 最大工作频率:100 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOT-23-3
  • 封装:Reel
  • 集电极连续电流:- 1 A
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:310 mW
  • 工厂包装数量:3000

MMBT589LT1供应商

更新时间:2023-01-07 14:34:03
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