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MMBT589LT1中文资料

MMBT589LT1图片

MMBT589LT1外观图

  • 大小：66.44KB
  • 厂家：MOTOROLA [Motorola, Inc]
  • 描述：High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：100 at 1 mA at 2 V
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：100 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-23-3
  • 封装：Reel
  • 集电极连续电流：- 1 A
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：310 mW
  • 工厂包装数量：3000

MMBT589LT1供应商

更新时间:2023-01-07 14:34:03
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